CMP 공정의 핵심
반도체 및 디스플레이 제조에서 웨이퍼/패널의 표면을 완벽하게 평탄화하는 것은 필수적입니다.
정밀한 연마 정지점의 중요성
과도한 연마 (Over-polishing)
웨이퍼 손상, 소자 성능 저하, 수율 감소로 직결됩니다
부족한 연마 (Under-polishing)
표면 불균일, 후속 공정 불량, 전기적 특성 저하를 유발합니다
EPD의 역할
최적의 연마 상태를 정확히 감지하여 이러한 문제점을 해결하고, 최고의 품질과 생산 효율을 보장합니다.
주요 감지 기술
광학 센서
Optical Sensors
반사율/투과율 측정
연마 두께 변화에 따른 빛의 반사/투과율 변화를 감지합니다.
간섭계 (Interferometry)
박막 두께 변화에 따른 간섭무늬 분석으로 초정밀 두께 측정이 가능합니다.
전기적 센서
Electrical Sensors
임피던스 변화 감지
연마 물질의 전기적 특성 변화를 통해 종말점을 탐지합니다.
고도화된 데이터 분석
측정된 데이터를 실시간으로 분석하여 정확한 연마 정지 시점을 판단합니다.
생산 수율 극대화
과/부족 연마로 인한 불량률을 획기적으로 감소시켜 수율을 최대 N% 향상시킵니다.(구체적인 수치 삽입 권장)
품질 경쟁력 강화
일관되고 정밀한 표면 품질로 제품의 신뢰성과 성능을 높입니다.
비용 절감 효과
웨이퍼 손실 최소화, 재작업 감소, 공정 시간 단축을 통해 총 생산 비용을 절감합니다.
넓은 적용 범위
반도체 (DRAM, NAND, Logic) 뿐만 아니라 디스플레이, MEMS, 광학부품 등 다양한 첨단 산업 분야에 적용 가능합니다.